【糸部-絕緣閘場效電晶體】

吳華敏

【糸部-絕緣閘場效電晶體】

第1544頁

【絕緣閘場效電晶體】ㄐㄩㄝˊ   ㄩㄢˊ   ㄓㄚˊ   ㄔㄤˇ   ㄒㄧㄠˋ   ㄉㄧㄢˋ   ㄐㄧㄥ   ㄊㄧˇ

（insulated-gate    field    effect    transistor；IGFET）場效電晶體的一種。

其閘極金屬與半導體通道間有一層絕緣的半導體氧化層，利用外加閘極電壓來控制通道的導通與否而具有電晶體放大特性。

參場效電晶體。
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【土部-場效電晶體】

第481頁

【場效電晶體】ㄔㄤˇ   ㄒㄧㄠˋ   ㄉㄧㄢˋ   ㄐㄧㄥ   ㄊㄧˇ

（field    effect    transistor；FET）一種極重要的半導體元件，為單載子元件，有別於電晶體的雙載子元件。

其特性是由於電子（n通道元件）或電洞（p通道元件）之導通特性。

以閘極上的電壓產生電場，改變空乏層厚度，而改變載子通道，進而控制源極與汲極間電流的元件。

大致上可分為接面型（JFET）與絕緣閘極型（IGFET）。

目前使用得很多的金氧半場效電晶體（MOSFET）是絕緣閘極型中最重要的一種。

閘極下為一PN接面，在閘極加上電壓則改變PN接面的空乏層厚度，因而控制通道面積，進而控制源、汲極電流。

IGFET，在閘極下為一絕緣層，閘極加上電壓則產生電場，推動載子流動，而在絕緣層下，產生通道或使得通道消失，因而控制源、汲極電流。

前者稱為加強型（enhancement     mode），後者稱為空乏型（depletion     mode）。

FET的特性為高輸入阻抗、低雜音、低失真、對溫度之穩定性高及功率小等；

在積體電路上的特色為高集積度，但其頻率較低且製造程序上技術較難。

圖片：http://blog.sina.com.cn/s/blog_164ddb5880102x5li.html