【糸部-絕緣閘場效電晶體】
<div align="center"><b><font size="5">【<font color="Red">糸部-絕緣閘場效電晶體</font>】</font></b><br></div><b><br>第1544頁<br><br>【絕緣閘場效電晶體】ㄐㄩㄝˊ ㄩㄢˊ ㄓㄚˊ ㄔㄤˇ ㄒㄧㄠˋ ㄉㄧㄢˋ ㄐㄧㄥ ㄊㄧˇ<br><br>（insulated-gate field effect transistor；IGFET）場效電晶體的一種。<br><br>其閘極金屬與半導體通道間有一層絕緣的半導體氧化層，利用外加閘極電壓來控制通道的導通與否而具有電晶體放大特性。<br><br>參場效電晶體。<br>----------------------------------------------<br>【土部-場效電晶體】<br><br>第481頁<br><br>【場效電晶體】ㄔㄤˇ ㄒㄧㄠˋ ㄉㄧㄢˋ ㄐㄧㄥ ㄊㄧˇ<br><br>（field effect transistor；FET）一種極重要的半導體元件，為單載子元件，有別於電晶體的雙載子元件。<br><br>其特性是由於電子（n通道元件）或電洞（p通道元件）之導通特性。<br><br>以閘極上的電壓產生電場，改變空乏層厚度，而改變載子通道，進而控制源極與汲極間電流的元件。<br><br>大致上可分為接面型（JFET）與絕緣閘極型（IGFET）。<br><br>目前使用得很多的金氧半場效電晶體（MOSFET）是絕緣閘極型中最重要的一種。<br><br>閘極下為一PN接面，在閘極加上電壓則改變PN接面的空乏層厚度，因而控制通道面積，進而控制源、汲極電流。<br><br>IGFET，在閘極下為一絕緣層，閘極加上電壓則產生電場，推動載子流動，而在絕緣層下，產生通道或使得通道消失，因而控制源、汲極電流。<br><br>前者稱為加強型（enhancement mode），後者稱為空乏型（depletion mode）。<br><br>FET的特性為高輸入阻抗、低雜音、低失真、對溫度之穩定性高及功率小等；<br><br>在積體電路上的特色為高集積度，但其頻率較低且製造程序上技術較難。<br><br>圖片：http://blog.sina.com.cn/s/blog_164ddb5880102x5li.html<br></b><p></p>
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