【隹部-離子植入法】
<div align="center"><font size="5"><b>【<font color="Red">隹部-離子植入法</font>】</b><br></font></div><b><br>第2124頁<br><br>【離子植入法】ㄌㄧˊ ㄗˇ ㄓˊ ㄖㄨˋ ㄈㄚˇ<br><br>（ion implantation）為半導體製造技術之一。<br><br>把帶電雜質離子，用高達300Kev以上的能量使其加速而撞擊矽晶薄層等半導體，使停留在適當的深度，達到摻雜作用。<br><br></b><p></p>
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