【金部-金氧半場效電晶體】
<div align="center"><font size="5"><b>【<font color="Red">金部-金氧半場效電晶體</font>】</b></font><br></div><b><br>第2030頁<br><br>【金氧半場效電晶體】ㄐㄧㄣ ㄧㄤˇ ㄅㄢˋ ㄔㄤˇ ㄒㄧㄠˋ ㄉㄧㄢˋ ㄐㄧㄥ ㄊㄧˇ<br><br>（metal-oxide-semiconductor field effect transistor；MOSFET）由金屬——氧化膜——半導體構成的場效電晶體。<br><br>分為n通道或p通道，加強型或空乏型。<br><br>為三端子的元件，分別為源極、汲極及閘極。<br><br></b><div><b>半導體的基板，常接地作為參考端；閘極接金屬，利用其電位，控制氧化層下半導體的載子濃度，造成通道的消長，而控制源極與汲極間之電流。</b></div><div><b><br></b></div><div align="center"><b><br></b></div><b><br>圖（1）為金氧半電晶體的電路符號，圖（2）為加強型PMOS的構造。</b><p></p>
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